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我所国家自然科学基金项目获准立项

发布人:综合办公室
发布日期:2016/8/24





    近日,我所高晓平工程师申报的“基于二元金属氧化物的自整流阻变存储器及其物理机制研究”项目成功获得了国家自然科学基金的资助。
当今社会正处于电子信息时代高速发展的过程之中,存储技术作为电子信息技术的重要组成部分,

    随着信息技术的发展不断快速进步,被认为是本世纪重要的科学技术,在消费电子、通讯网络、计算机、国防电子等领域得到极为广泛的应用,具有不可替代的地位,已成为社会生产力发展的重要标志。特别是近年来,随着移动智能终端、云计算、物联网、大数据等新信息技术的快速发展与普及,消费市场对于非挥发性存储器的需求越来越大,一些新兴存储技术的出现给未来信息科技的飞速发展带来了新的契机。作为一种存储器器件,能否实现高密度存储是其立足的根本。因此,高密度集成成为近年来RRAM研究的重点。

    本项目以具有自整流特性的RRAM器件作为主要研究对象,重点开展基于二元金属氧化物材料的自整流阻变存,储器件的研究。通过薄膜制备工艺,先进的MEMS工艺,从材料选择、性能优化、物理机制、可靠性研究等多方面出发,多方位、深层次的开展自整流阻变存储器的研究,为基于自整流特性的阻变存储器件实现三维高密度存储提供前瞻性的数据积累,在新型非挥发性存储器领域获得具有自主知识产权的原创性研究成果和核心技术。

    该项目的实施,将极大地提升我所的应用基础科学研究水平、科研创新能力和科技竞争力,为我所的学科建设和发展提供重要支撑,对培养高层次人才和建设创新型科研团队发挥重要作用,加速科技成果转化和服务区域经济社会发展奠定基础。